А ваша компания есть в справочнике?
Камеры
Предложения из соседних регионов:
Конструкционной особенностью является стационарное положение нагревателей, что обеспечивает наилучшую ремонтопригодность и удобное техническое обслуживание нагревательной системы.
Данный тип печей предназначен для серийного или крупносерийного производства, а также для обработки крупных изделий.
Предназначен для обработки крупногабаритных изделий, загрузка и выгрузка которых предусмотрена с помощью специальных погрузочных механизмов, а также для серийного и крупносерийного производства.
Данный тип печей предназначен для прецизионной обработки мелких партий изделий, изделий нестандартной формы, а также для лабораторных и научных исследований.
Термическая диффузия - физико-химический процесс, изменяющий структуру поверхности обрабатываемого изделия в условиях термостабилизации и контролируемой атмосферы.
Термокомпрессия - способ соединения металлов с металлами и неметаллами давлением с подогревом при относительно невысоких удельных давлениях.
Данная установка обеспечивает непрерывное нахождение изделий в вакууме, а загрузка и выгрузка происходит с помощью отдельно герметизируемых шлюзовых боксов.
Данные установки заменят имеющиеся без необходимости изменения техпроцесса, а применяемые современные комплектующие и материалы позволят увеличить срок службы и упростить обслуживание.
Для обучения студентов и проведения научных исследований требуются компактные установки небольших размеров и мощности. Такие установки легко помещаются в любых лабораториях.
Предназначены для выращивания монокристаллов лейкосапфира из расплава. Метод Киропулоса характеризуется малыми температурными градиентами на фронте кристаллизации.
Предназначены для выращивания монокристаллов лейкосапфира и рубина по любой кристаллографической ориентации, том числе по С-ориентации (0001).
Предназначены для выращивания монокристаллов кремния из расплава. Могут применяться для выращивания монокристаллов кремния «солнечного» и полупроводникового качества, диаметром от 75 до 300 мм.
Предназначены для выращивания монокристаллов лейкосапфира любой кристаллографической ориентации в виде пластин.
Предназначены для выращивания монокристаллов арсенида галлия (GaAs) и арсенида индия (InAs). Выращивание производится по методу Чохральского с жидкостной герметизацией расплава (LEC).
Установка предназначена для плавления, синтезирования и выращивания методом Чохральского монокристаллов антимонида индия (InSb) и галлия (GaSb) с последующим отжигом выращенного кристалла.